企業(yè)存儲(chǔ)
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隨著信息技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)技術(shù)也在不斷地演進(jìn)。在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域，磁盤(pán)冗余陣列（RAID控制卡）和固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品也在不斷推陳出新。 |
RAID控制卡 |
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在磁盤(pán)冗余陣列（Redundant Array of Independent Disks，RAID）之前，人們通常使用單塊磁盤(pán)保存數(shù)據(jù)。單塊磁盤(pán)讀寫(xiě)性能低，且容易發(fā)生故障。RAID將多個(gè)物理磁盤(pán)配置為統(tǒng)一的邏輯單元，并且提供冗余操作，可提升存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀寫(xiě)性能和可靠性。 如下圖所示，RAID元數(shù)據(jù)記錄了物理磁盤(pán)的數(shù)量和存儲(chǔ)容量、每塊物理磁盤(pán)的起始地址等信息。除元數(shù)據(jù)之外，RAID控制器還需持續(xù)記錄系統(tǒng)日志，以便跟蹤主機(jī)和磁盤(pán)之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)包，避免異常掉電引起的數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題。傳統(tǒng)非易失存儲(chǔ)器的擦寫(xiě)壽命不能滿足RAID應(yīng)用場(chǎng)景要求。HIKSTOR MRAM專(zhuān)為需要極高數(shù)據(jù)可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有萬(wàn)億次擦寫(xiě)壽命，非常適合RAID應(yīng)用場(chǎng)景。 |
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RAID控制卡原理框圖 |
固態(tài)硬盤(pán)（SSD) |
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固態(tài)硬盤(pán)（Solid-State Drive，SSD）主要由控制器、DRAM和NAND Flash構(gòu)成，存在異常掉電而丟失數(shù)據(jù)等問(wèn)題，通常需要配備電容和電源故障檢測(cè)模塊。如下圖所示，該技術(shù)方案將Write Buffer和FTL Changes保存在MRAM中，可顯著減少SSD對(duì)電容數(shù)量的需求。 此外，SSD的隨機(jī)寫(xiě)工作模式加劇了WA（Write Amplification）問(wèn)題，嚴(yán)重影響SSD的擦寫(xiě)壽命。如下圖所示，小塊數(shù)據(jù)被緩存在MRAM的Write Buffer中，經(jīng)過(guò)合并重組等操作，以順序方式寫(xiě)入NAND Flash。該技術(shù)方案減輕了WA問(wèn)題，降低了隨機(jī)寫(xiě)操作對(duì)SSD的壽命影響。 HIKSTOR MRAM專(zhuān)為需要極高數(shù)據(jù)可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有納秒級(jí)高速寫(xiě)入、萬(wàn)億次擦寫(xiě)壽命和超低功耗等特性，非常適合SSD應(yīng)用場(chǎng)景。 |
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SSD原理框圖 |
